据7月21日报道称,华为技术有限公司已经悄悄的在招聘“光刻工程师”,这或许意味着华为可能打算自己研任弼时子女发芯片制造技术,不依赖第三方供应商。 前不久有消息称,华为内部确实提出要坚定选择绝处逢生式的全产业链模式,进军更多业务板块谋存空间。 消息称,海思仍在扩张,暂不考虑缩减规模,不考虑“散是满天星”之类的市场传闻把人员散落到其他公司的动作,而是在积极寻找代工厂,打造设计制造一体的IDM(垂直整合制造工厂,芯片设计和芯片制造一体)。 业内人士表示,目前全球最先进的芯片制程工艺牢牢掌握在台积电、三星等少数公司手里。而中国在先进芯片制程领域没有多少话语权。 因此,在如此重要的领域,必须做到自主可控,所以当下最重要的事情就是加速完成产业链整合及自主可控,争取早日赶上国际先进制程水平。 光刻机工作原理:光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线图成比例缩小后映射到硅片上,然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电图。 中国的光刻机发展起源于20世纪70年代,伴随着半导体行业研究的兴起,中国于1977年研发成功第一台光刻机,1978-1985年先后研制成功三台光刻机,当时中国的半导体产业虽然没有达到当时世界先进水平,但是差距并不大。 80年代底,由于中国“造不如买”的发展,导致中国半导体行业停滞不前,直到2002年,国家开始重视光刻机的研发。 至今18年的时间里,中国在逐步缩小和国际光刻机巨头的差距,漫漫其修远兮,上海微电子等光刻机企业的崛起,表明中国正在追赶的上坚定不移、勇往无前。 目前全球光刻机被ASML、Canon和Nikon三家供应商包揽。ASML光刻机主要包括三大款:EUV、浸入式DUV、干式DUV。公司在中高端领域领先,在最高端领域垄断,是摘取光刻机皇冠上明珠的领先企业。其中最先进的EUV机台只有ASML提供,中低端设备ASML也占据大部分市场。 EUV光刻机是目前最先进的光刻机,采用EUV光源,使用的光波波长只有13.5nm,NA(数值孔径)为0.33,目前全球只有ASML能生产EUV光刻机,售价高达1.2亿美元。 ArF类光刻机市场ASML处于绝对竞争优势,Nikon只提供少量干法设备供给,KrF与i-line设备则是与Nikon和Canon相互竞争。近几年光刻机市场需求呈上升趋势,ASML光刻设备数量市占率一直保持在60%以上。 EUV光刻机不需要多重,一次就能曝出想要的精细图形,没有超纯水和晶圆接触,在产品生产周期、光学邻近效应矫正的复杂程度、工艺控制、良率等方面都有明显优势。 格芯首席技术官Gary Patton曾说:“如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机,那么光刻的步骤将会超过100步”。 方正证券认为,随着中国代工厂的不断扩建,未来对于国产光刻机的需求不断提升,而当前国内与国外顶尖光刻机制程仍存在较大差距,国产光刻机应从如下几个方面寻求突破: 1、产业分工:国内涉及相关光刻机零部件的企业形成产业分工,各取所长研发、提供相应的技术和零部件;2、科研投入:目前国内企业仍存有买办思维,光刻机作为人类智慧的结晶,高科技产物,科研投入必不可少;3、技术突破:汇集顶尖人才对于核心技术优先突破;4、人才积累:注重励机制。 目前来看,华为是否下定决心要自己搞芯片工厂,或者研发光刻机,是否愿意承受失败的巨大风险,才是关键。现在搞光刻机很难,但如果不搞,以后会一直很难。
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